背景及概述^[1]

硫化銀有兩種晶型。α-型：黑色立方系晶體或粉末，天然為輝銀礦。相對密度7.317。高溫時穩(wěn)定，熔點825℃，更熱則分解。幾乎不溶于水，溶于氰化鉀溶液，難溶于稀硫酸、氨水、酸性硫酸鈉溶液。在濃硫化鉀、硫化鈉溶液里生成紅色晶體的雙硫化物。β-型：灰黑色斜方系晶體或粉末，天然成螺狀硫銀礦，相對密度7.326，不溶于水，溶于氰化鉀溶液、濃硫酸、硝酸，溶于硝酸時生成硝酸銀和硫，175℃時轉變成α-型。由硫化氫通入硝酸銀溶液生成沉淀，再洗凈、烘干，或在氮氣流中于200℃時由銀與硫直接化合而得α-型。β-型用于陶瓷業(yè)及制合金。

應用^[2-5]

硫化銀作為一種重要的過渡金屬硫化物，具有良好的光電和熱電性能。硫化銀也是一種混合導體，即具有部分電子導電性能和部分離子導電性能，可用作超離子導體。因此，硫化銀半導體材料被應用于光電器件和電子器件制造業(yè)，如光電池、紅外檢測器、光電導元件、快離子導體和選擇性太陽光吸收膜等。硫化銀納米材料由于能產生較大的比表面及量子效應而顯示出與體相材料不同的特殊性能，因而在傳感、催化和光吸收等方面也有著廣泛的應用前景。其應用舉例如下：

1）制備一種硫化銀-硫化鋅半導體納米異質結，其制備分以下兩步驟：步驟A：反應前驅體二丁基二硫代氨基甲酸銀在混合溶劑中高溫分解得到硫化銀顆粒；步驟B：利用步驟A中得到的硫化銀為催化劑，使二丁基二硫代氨基甲酸鋅高溫分解形成的中間產物溶解在含所述硫化銀顆粒的混合溶劑中，在正三辛基氧膦和正十八硫醇的作用下從硫化銀顆粒中析出硫化鋅納米棒，形成硫化銀-硫化鋅半導體納米異質結。本發(fā)明提供的硫化銀-硫化鋅納米異質結制備方法簡便、產率高、適宜工業(yè)化生產。本發(fā)明中，在常壓下即可實現(xiàn)對硫化銀-硫化鋅半導體納米異質結的形狀和結構控制，產率可達80%以上。

2）制備一種可控結構的納米銀線負載硫化銀材料。所述材料包括雙層結構，內層為光滑、均勻的納米銀線，外層為緊密包裹在納米銀線表面的硫化銀，且可以通過改變合成條件控制硫化銀的負載形態(tài)，可以包括層狀和納米顆粒。所述材料的制備方法包括以下步驟：(1)采用改進的多元醇還原法制備合成納米銀線；(2)在硫化鈉溶液中可控制備納米銀線負載硫化銀材料。本發(fā)明所提供的納米銀線負載硫化銀材料具有核殼結構，且可以調控硫化銀的負載形態(tài)，具有制備工藝簡單、容易實施且材料形貌可控等優(yōu)點。本發(fā)明所制備的銀納米銀線負載硫化銀材料可用于光電子材料和光催化等領域。

3）制備一種蠕蟲狀納米硫化銀薄膜，硝酸銀溶液與硫脲溶液以2：1摩爾比混合溶液盛入放有試樣基底的容器中，放置在室溫下靜置3數(shù)天待溶液由渾濁變澄清后取出沉積硫化銀的導電玻璃，將取出的樣品放入去離子水中浸泡30min，使樣品上的鹽擴散水中洗去，經烘干后試樣放入管式退火爐中，在氬氣保護下退火處理，進而得到硫化銀薄膜目標物。本發(fā)明以無機硝酸銀水解提供銀源，以有機硫脲水解為硫源參與和銀離子反應生成蠕蟲狀納米硫化銀，此反應不加入任何活性劑和穩(wěn)定劑，在室溫下反應即可得蠕蟲狀納米硫化銀，其制備方法簡單，反應溫和，耗能小，合成步驟少，操作簡單，對設備無特殊要求，適合大規(guī)模生產。

制備^[6]

目前，制備硫化銀的主要方法有微乳液法、模板法、γ-射線誘導法、溶膠-凝膠法，但由于硫化銀的溶解度極低為Ksp=6.3×10-50，其納米晶在液相中成核和生長的速度很快，所以實現(xiàn)納米尺度的單分散制備非常困難，其產物形貌大多為粉體顆粒狀；目前硫化物的合成過程，常采用硫源中的硫脲、硫化鈉、硫代硫酸鈉，反應過程中會產生大量有毒有害的H2S氣體，造成環(huán)境污染，在制備、使用過程中必須進行保護，也阻礙了硫化銀的制備和應用。有研究開發(fā)了一種立方狀硫化銀微晶的快速制備方法，是以硝酸銀、鹽酸硫胺素為原料、以去離子水、無水乙醇為溶劑和洗滌劑，經配制溶液，在反應釜內水熱合成，經離心分離、洗滌、抽濾、真空干燥，制得立方狀硫化銀微晶晶體產物，以鹽酸硫胺素為硫源，綠色無毒，制備工藝先進合理，數(shù)據(jù)翔實精確，產物純度高，達98.5%，產收率高，達96%，不污染環(huán)境，是十分理想的快速制備立方狀硫化銀微晶的方法。工藝流程如下：

主要參考資料

[1] 化合物詞典

[2] CN201110206243.7一種硫化銀-硫化鋅半導體納米異質結的制備方法

[3] CN201810276133.X一種可控結構的納米銀線負載硫化銀材料的制備方法

[4] CN201510348950.8一種蠕蟲狀納米硫化銀薄膜的制備方法

[5] 硫化銀納米材料的制備方法和應用

[6] CN201310351301.4一種立方狀硫化銀微晶的快速制備方法