12056-07-4
中文名稱
銦硒化物
英文名稱
INDIUM SELENIDE
CAS
12056-07-4
EINECS 編號
235-016-9
分子式
In2Se3
MDL 編號
MFCD00016147
分子量
466.52
MOL 文件
12056-07-4.mol
更新日期
2023/03/20 19:41:19
12056-07-4 結構式
基本信息
中文別名
銦硒化物硒化銦
硒化銦, 99.99% (METALS BASIS)
英文別名
INDIUM(III) SELENIDEINDIUM SELENIDE
indiumselenide(in2se3)
diindium triselenide
INDIUM(III) SELENIDE, LUMPS
Indium(III) Selenide, Lump
Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis)
所屬類別
無機化工：硫族化合物物理化學性質
熔點890°C
密度5.67 g/mL at 25 °C(lit.)
形態(tài)lumps
顏色銀灰
水溶解性Insoluble in water.
暴露限值ACGIH: TWA 0.1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3
NIOSH: IDLH 1 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3
NIOSH: IDLH 1 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3
CAS 數(shù)據(jù)庫12056-07-4(CAS DataBase Reference)
安全數(shù)據(jù)
警示詞危險
危險性描述H301+H331-H373-H410
危險品標志T,N
危險類別碼R23/25-R33-R50/53
危險品運輸編號UN 3283 6.1/PG 3
WGK Germany3
TSCAYes
包裝類別III
海關編碼2842901090
常見問題列表
理化性質
硒化銦是一種無機化合物，化學式為In2Se3。其為黑色晶體或暗黑色鱗片狀物質，是典型的二維層狀半導體材料。通過In-Se熔融體的X射線衍射研究指出有五種二元化合物，In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4、In2Se3。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五種晶體結構。
應用
銦硒化物又叫硒化銦。硒化銦是典型的二維層狀半導體材料，帶隙范圍為1.24-1.54eV，具體的帶隙范圍取決于層數(shù)。硒化銦薄膜具有優(yōu)異的電子和光電特性。對于硒化銦物理性質的研究已經(jīng)付出了相當大的努力。已有報道已經(jīng)證明，暴露于環(huán)境條件下的二維材料器件由于界面引起的額外的散射而顯著的降低了載流子遷移率。作用
高k電介質可以有效的屏蔽二維場效應晶體管的庫倫雜質散射(CI)。多層硒化銦晶體管顯示出高場效應遷移率，AlO電介質可以降低庫倫散射。硒化銦場效應晶體管的電學穩(wěn)定性在實際應用中起著至關重要的作用，而電學穩(wěn)定性體現(xiàn)在傳輸特性的滯后作用中。