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509074-26-4

中文名稱 4-(5-甲基-3-苯基-4-異惡唑)苯磺酰氯
英文名稱 Valdecoxib IMpurity F
CAS 509074-26-4
分子式 C16H12ClNO3S
分子量 333.79
MOL 文件 509074-26-4.mol
更新日期 2025/07/21 11:10:12
509074-26-4 結(jié)構(gòu)式 509074-26-4 結(jié)構(gòu)式

基本信息

中文別名
匹杉瓊雜質(zhì)15
雜質(zhì)帕瑞昔布F
伐地考昔雜質(zhì)F
戊地昔布雜質(zhì)F
帕瑞考昔雜質(zhì)15
帕瑞昔布鈉雜質(zhì) F
帕瑞昔布鈉雜質(zhì)06
帕瑞昔布鈉雜質(zhì)55
帕瑞考昔鈉雜質(zhì)55
A帕瑞昔布雜質(zhì)20
英文別名
4-(5-methyl-3-phenylisoxazol-4-yl)benzenesulfonyl chloride
Parecoxib-002
Parecoxib Sodium-5
Valdecoxib IMpurity F
Valdecoxib Impurity 6
Parecoxib SodiuM IMpurity F
Valdecoxib Sulfonyl Chloride
Parecoxib Sodium Impurity 55
Valdecoxib Sulfonyl Chloride,Valdecoxib IMpurity F
4-(5-Methyl-3-phenyl-4-isoxazolyl)-benzenesulfonyl
所屬類別
生物:小分子化合物

物理化學(xué)性質(zhì)

熔點108-109°C
沸點440.6±45.0 °C(Predicted)
密度1.340±0.06 g/cm3(Predicted)
儲存條件under inert gas (nitrogen or Argon) at 2-8°C
溶解度可溶于苯(少量)、DMSO(少量)
酸度系數(shù)(pKa)-3.74±0.50(Predicted)
形態(tài)固體
顏色白色至灰白色
穩(wěn)定性吸濕性
InChIInChI=1S/C16H12ClNO3S/c1-11-15(12-7-9-14(10-8-12)22(17,19)20)16(18-21-11)13-5-3-2-4-6-13/h2-10H,1H3
InChIKeyNVKQPOHDVWNXRP-UHFFFAOYSA-N
SMILESC1(S(Cl)(=O)=O)=CC=C(C2=C(C)ON=C2C2=CC=CC=C2)C=C1

制備方法

方法1
5-甲基-3,4-二苯基異噁唑

37928-17-9

4-(5-甲基-3-苯基-4-異惡唑)苯磺酰氯

509074-26-4

以5-甲基-3,4-二苯基-異噁唑為原料合成4-(5-甲基-3-苯基-4-異惡唑)苯磺酰氯的一般步驟:在反應(yīng)器中加入二氯甲烷并冷卻至10-15℃,緩慢加入98.00kg氯磺酸。將3,4-二苯基-5-甲基異惡唑溶解于50升二氯甲烷中,在0-10℃下緩慢加入反應(yīng)物料中,隨后加熱回流9-11小時。反應(yīng)完成后,將反應(yīng)物質(zhì)冷卻至25-35℃。在0-10℃下,將反應(yīng)物質(zhì)緩慢加入175升冷水中,并將溫度升至25-35℃。分離水層和有機層,用125升二氯甲烷分兩次萃取水層。合并有機層,用575升水分三次洗滌。將合并的有機層加入反應(yīng)器中,在60℃以下蒸餾除去二氯甲烷。將得到的粗制固體溶解于250升環(huán)己烷中,加熱回流30-45分鐘。隨后,向反應(yīng)物料中加入水,再次加熱回流15-30分鐘,待反應(yīng)物質(zhì)沉降后,分離有機層和底層水層。將有機層冷卻至25-35℃,保持此溫度45-60分鐘后過濾,并用環(huán)己烷洗滌。此洗滌過程重復(fù)兩次。最后,將濕化合物在50-55℃下干燥,得到4-(5-甲基-3-苯基-4-異惡唑)苯磺酰氯(產(chǎn)量21.3kg,收率59.15%)。

參考文獻:

[1] Synthetic Communications, 2012, vol. 42, # 5, p. 639 - 649

[2] Patent: EP1550658, 2005, A1. Location in patent: Page/Page column 7

[3] Patent: WO2005/123701, 2005, A1. Location in patent: Page/Page column 38-39

[4] Patent: US2003/105334, 2003, A1

[5] Patent: CN105367508, 2016, A. Location in patent: Paragraph 0038; 0045

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